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收购吉时利2602B 美国吉时利keithley源表SMU， MOS 电容器

C-V 曲线 (高频：100kHz)：

掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – 大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。

I-V 曲线分析：

电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线比较。

C-V 曲线 (准静态)

详细说明

吉时利KEITHLEY2600B系列源表研究领域：

各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：

离散和无源元件

–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻

–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等

简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器

集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）

–模拟IC

–射频集成电路（RFIC）

–集成电路（ASIC）

–片上系统（SoC）器件

光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器

圆片级可靠性

- NBTI、TDDB、HCI、电迁移

太阳能电池

电池

暂态抑制器件

IC、RFIC、MMIC

激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器

电路保护器件:

TVS、MOV、熔丝

气囊

连接器、开关、继电器

碳纳米管

半导体纳米线

碳纳米管 FET

纳米传感器和阵列

单电子晶体管

分子电子

有机电子

基本运放电路

二极管和电路

晶体管电路

测试：

漏流

低压、电阻

LIV

IDDQ

I-V特征分析

隔离与轨迹电阻

温度系数

正向电压、反向击穿、漏电流

直流参数测试

直流电源